RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
46
Autour de -84% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
25
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
16.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
3845
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link