RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
46
Autour de -59% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
2,061.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
2655
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
INTENSO 5641162 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link