RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
46
Autour de -35% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.5
2,061.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
34
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
2297
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link