RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Comparez
AMD R538G1601U2S 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Note globale
AMD R538G1601U2S 8GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R538G1601U2S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
26
Autour de 27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R538G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
19
26
Vitesse de lecture, GB/s
18.4
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.3
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3189
3124
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Comparaison des RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link