RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Comparez
AMD R538G1601U2S 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Note globale
AMD R538G1601U2S 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R538G1601U2S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
32
Autour de 41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
19
32
Vitesse de lecture, GB/s
18.4
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.3
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3189
2849
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link