RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Comparez
AMD R538G1601U2S 8GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Note globale
AMD R538G1601U2S 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R538G1601U2S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
24
Autour de 21% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.2
18.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.4
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
19
24
Vitesse de lecture, GB/s
18.4
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.3
18.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3189
4114
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link