RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Comparez
AMD R538G1601U2S 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Note globale
AMD R538G1601U2S 8GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R538G1601U2S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
24
Autour de 21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
19
24
Vitesse de lecture, GB/s
18.4
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.3
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3189
2852
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link