RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Comparez
AMD R538G1601U2S 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Note globale
AMD R538G1601U2S 8GB
Note globale
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R538G1601U2S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
71
Autour de 73% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R538G1601U2S 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
19
71
Vitesse de lecture, GB/s
18.4
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.3
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3189
1650
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link