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AMD R538G1601U2S 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Comparez
AMD R538G1601U2S 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Note globale
AMD R538G1601U2S 8GB
Note globale
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R538G1601U2S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
71
Autour de 73% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R538G1601U2S 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
19
71
Vitesse de lecture, GB/s
18.4
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.3
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3189
1650
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
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