RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Comparez
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Note globale
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
47
Autour de -88% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.4
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
25
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
21.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
19.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2323
4129
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link