RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
26
Autour de -44% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.9
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.6
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
18
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
16.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
3601
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link