RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
31
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
3126
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link