RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
27
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.9
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
16.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
3929
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Mushkin 991586 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link