Comparaison de la RAM ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Note globale

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

26 31

Autour de 16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

12.6 12

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

9.5 8.6

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Liste complète des spécifications techniques

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2174 2066

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns