RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
39
Autour de 33% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
39
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
2264
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Lenovo 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link