RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.0
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
3715
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link