RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Comparez
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Note globale
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
34
Autour de 18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
34
Vitesse de lecture, GB/s
13.5
11.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2278
2319
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link