RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Comparez
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Note globale
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
37
Autour de 24% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
37
Vitesse de lecture, GB/s
13.5
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2278
2698
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
SK Hynix DMT451E6AFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link