RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Comparez
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Note globale
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
35
Autour de -30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
27
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2479
3460
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB Comparaison des RAM
Kingston KHX2133C11D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16- 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link