RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Comparez
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Note globale
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
32
Autour de 47% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.8
19.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
17
32
Vitesse de lecture, GB/s
22.8
19.9
Vitesse d'écriture, GB/s
15.4
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3391
3372
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaison des RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link