RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Comparez
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Note globale
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Note globale
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
74
Autour de 50% latence réduite
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
74
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1683
1779
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link