Comparaison de la RAM Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Note globale

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

37 62

Autour de 40% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

7.4 7.0

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

16.7 11.4

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 10600

Autour de 1.81 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1683 1808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns