RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Comparez
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Note globale
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
61
Autour de 16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
1,839.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
61
Vitesse de lecture, GB/s
4,246.9
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,839.1
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
721
2025
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT8GX3M2A2000C9 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link