Comparaison de la RAM Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Note globale

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Raisons de considérer
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

37 42

Autour de -14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

16 13.2

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.6 9.4

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 12800

Autour de 1.5 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2326 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns