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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Raisons de considérer
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
42
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
2958
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
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Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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