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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
42
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
3009
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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