RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Comparez
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Note globale
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Note globale
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
74
Autour de 69% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
74
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2096
1779
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link