RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
63
Autour de 57% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
63
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
1863
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology C 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link