RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
30
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
3636
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link