RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
3692
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link