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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Note globale
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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Raisons de considérer
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
39
Autour de -15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
34
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2165
2791
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
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