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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Note globale
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Différences
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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Raisons de considérer
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
39
Autour de -11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
35
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2165
2155
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparaison des RAM
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Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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