RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Note globale
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
41
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
38
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2142
2829
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link