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Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB vs Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
41
41
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
13.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2142
2094
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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