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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
41
Autour de -141% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.9
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.1
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
17
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
18.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
3863
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
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