RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
41
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
3699
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link