RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
41
Autour de -37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
3050
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link