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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
41
Autour de -78% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
2979
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
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