RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
61
Autour de 33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
61
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
8.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
1813
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 99U5471-002.A01LF 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link