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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Raisons de considérer
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
41
Autour de -11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
37
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
2422
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
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Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Kingston 9905702-006.A00G 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
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