RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
41
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
3076
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link