RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Note globale
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
52
Autour de 25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.5
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
52
Vitesse de lecture, GB/s
12.5
10.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2096
2236
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link