RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
28
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
22
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1854
3007
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link