RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Comparez
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Note globale
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
65
Autour de -117% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
4.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
30
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
4.2
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
985
2732
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Comparaison des RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link