RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Comparez
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Note globale
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Note globale
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
83
Autour de 70% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
83
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2152
1752
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB Comparaison des RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link