RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Comparez
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
39
Autour de 33% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
14200
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
39
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14200
21300
Other
Description
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2558
2264
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB Comparaison des RAM
Corsair CML4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link