RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Comparez
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Note globale
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
52
Autour de -68% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
1,479.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,226.4
12.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,479.2
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
590
2361
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link