RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Comparez
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Note globale
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Note globale
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,935.8
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
45
Autour de -45% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
31
Vitesse de lecture, GB/s
6,336.8
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,935.8
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1144
3042
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Corsair CML8GX3M1A1600C9 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link