RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Comparez
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Note globale
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Note globale
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,935.8
10.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
45
Autour de -25% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
36
Vitesse de lecture, GB/s
6,336.8
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,935.8
10.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1144
2490
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link