RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Comparez
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Note globale
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,935.8
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
45
Autour de -50% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
6400
Autour de 3.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
30
Vitesse de lecture, GB/s
6,336.8
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,935.8
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
23400
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1144
2709
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link