RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Comparez
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,935.8
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
45
Autour de -32% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
34
Vitesse de lecture, GB/s
6,336.8
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,935.8
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1144
2584
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link